Производитель Номер продукта:
CDMSJ22013.8-650 SL
Product Overview
Производитель:
Central Semiconductor Corp
Номер детали:
CDMSJ22013.8-650 SL-DG
Описание:
SUPER JUNCTION MOSFETS
Подробное описание:
N-Channel 650 V 13.8A (Tc) 35.7W (Tc) Through Hole TO-220FP
Инвентаризация:
500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13243521
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
CDMSJ22013.8-650 SL Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Central Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
280mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1040 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
35.7W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220FP
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
1514-CDMSJ22013.8-650SL
CDMSJ22013.8-650 SL PBFREE
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
CDMSJ22010-650 SL
SUPER JUNCTION MOSFETS
ISZ113N10NM5LF2ATMA1
ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
ISC025N08NM5LF2ATMA1
OPTIMOSTM5LINEARFET80V
